温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
- 收藏
- 对比
FS10ASJ-06F-T13-VB
1个N沟道 耐压:60V 电流:18.2A
描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
FS10ASJ-06F-T13-VB商品编号
C5878799商品封装
TO-252包装方式
编带
商品毛重
0.407207克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 18.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 73mΩ@10V |
梯度价格
梯度
售价
折合1圆盘
1+￥1.33
10+￥1.31
30+￥1.29
100+￥1.27￥3175
优惠活动
库存总量
(单位：个)广东仓
0
江苏仓
71
购买数量(2500个/圆盘，最小起订量 1 个 )
个
起订量：1 个2500个/圆盘
近期成交1单
咨询客服
优惠券
芯媒体
建议反馈- 投诉意见
收起
优惠券
