IRF5305STRPBF-VB
1个P沟道 耐压:60V 电流:35A
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描述
台积电流片,长电科技封装;是一款单P型MOSFET器件,采用Trench技术,具有多种特性和应用领域,是一款功能强大且多用途的器件,可广泛应用于各种电子设备和系统中。TO263;P—Channel沟道,-60V;-35A;RDS(ON)=48mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-1~-2.5V;
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
IRF5305STRPBF-VB商品编号
C5878800商品封装
TO-263包装方式
管装
商品毛重
2.242657克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个P沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 60V |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
连续漏极电流(Id) | 35A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 48mΩ@10V |
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