TK090U65Z,RQ
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 90mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 230W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 47nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.78nF |
商品特性
- 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 0.07Ω(典型值)
- 具备低电容的高速开关特性。
- 增强型:Vth = 3至4 V(VDS = 10 V,ID = 1.27 mA)
应用领域
-开关电源