TK090U65Z,RQ
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 90mΩ@10V,15A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 230W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 47nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.78nF@300V |
商品特性
- 沟槽功率低压MOSFET技术
- 用于低RDS(ON)的高密度单元设计
- 高速开关
- 湿气敏感度等级1级
- 环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级
- 无卤，“绿色”器件
- 无铅涂层/符合RoHS标准（后缀“P”表示符合RoHS标准）