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IRF840ALPBF
1个N沟道 耐压:500V 电流:8A
- 描述
- 特性：低栅极电荷Qg，驱动要求简单。 改进了栅极、雪崩和动态dV/dt的耐用性。 全面表征了电容、雪崩电压和电流。 规定了有效Coss。应用：开关模式电源（SMPS）。 不间断电源
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- IRF840ALPBF
- 商品编号
- C5772288
- 商品封装
- I2PAK
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 850mΩ@10V,4.8A | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.018nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 155pF |
商品概述
这款功率MOSFET采用意法半导体（STMicroelectronics）独特的STripFET工艺开发，该工艺专门用于最小化输入电容和栅极电荷。这使得该器件适用于电信和计算机应用中的先进高效隔离式DC-DC转换器的主开关，以及对栅极电荷驱动要求较低的应用。
商品特性
- 通过AEC-Q101认证
- 出色的dv/dt能力
- 100%雪崩测试
- 低栅极电荷
应用领域
- 开关应用