IRFI740GLCPBF
1个N沟道 耐压:400V 电流:5.7A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- IRFI740GLCPBF
- 商品编号
- C5772303
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 400V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 550mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 39nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 18pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
该系列低电荷功率MOSFET相较于传统MOSFET,显著降低了栅极电荷。采用先进的功率MOSFET技术,这些器件的改进降低了栅极驱动要求,提高了开关速度,并为整个系统节省了成本。这些器件的改进,结合功率MOSFET所具有的成熟耐用性和可靠性,为设计人员提供了适用于开关应用的新型功率晶体管标准。 TO - 220 FULLPAK封装无需额外的绝缘硬件。所使用的模塑料在管壳与外部散热器之间提供了高隔离能力和低热阻。
商品特性
- 超低栅极电荷
- 降低栅极驱动要求
- 增强型30 V VGS额定值
- 隔离封装
- 高电压隔离 = 2.5 kVRMS(t = 60 s,f = 60 Hz)
- 漏极至引脚爬电距离 = 4.8 mm
- 重复雪崩额定值