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IRFUC20PBF
1个N沟道 耐压:600V 电流:1.3A
- 描述
- 第三代功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。DPAK专为使用气相、红外或波峰焊技术进行表面贴装而设计。直引脚版本（IRFUC、SiHFUC系列）适用于通孔安装应用。在典型的表面贴装应用中，功率耗散水平可达1.5W。
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- IRFUC20PBF
- 商品编号
- C5772326
- 商品封装
- TO-251AA
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.4Ω@10V,1.2A | |
| 耗散功率(Pd) | 42W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 350pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 48pF |
商品概述
SUK3015包含一个低导通电阻的N沟道功率MOSFET，带有用于静电放电（ESD）保护的齐纳二极管。SUK3015采用TO220S - 2L封装，这是一种表面贴装封装，具有高散热性能。
商品特性
- 适用于高可靠性和汽车应用要求
- 裸引线框架：无铅（符合RoHS标准）
- 低导通电阻
- 栅源间ESD保护齐纳二极管
- 100%雪崩测试
- 漏源击穿电压V(BR)DSS 300 V（漏极电流ID = 100 μA）
- 漏极电流ID 15A
- 导通电阻RDS(ON) 最大0.15 Ω（漏极电流ID = 7 A，栅源电压VGS = 10 V）
- 反向恢复时间trr 160 ns（典型值）
应用领域
- DC/DC转换器
- 其他开关模式电源
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