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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IRLZ34SPBF

1个N沟道 耐压:60V 电流:30A

品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
IRLZ34SPBF
商品编号
C5772334
商品封装
TO-263(D2PAk)​
包装方式
管装
商品毛重
1.995克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)21A
导通电阻(RDS(on))50mΩ@5V
耗散功率(Pd)3.7W;88W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1V
栅极电荷量(Qg)35nC@5V
输入电容(Ciss)1.6nF
反向传输电容(Crss)170pF
工作温度-55℃~+175℃

商品概述

第三代功率MOSFET采用先进的加工技术,实现了单位硅片面积极低的导通电阻。这一优势,再结合功率MOSFET所具备的快速开关速度和坚固耐用的器件设计,为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件,可广泛应用于各种领域。 D2PAK(TO - 263)是一种表面贴装功率封装,能够容纳尺寸达HEX - 4的芯片。在现有的任何表面贴装封装中,它具备最高的功率处理能力和尽可能低的导通电阻。由于其内部连接电阻低,D2PAK(TO - 263)适用于大电流应用,在典型的表面贴装应用中可耗散高达2.0 W的功率。

商品特性

  • 先进的工艺技术
  • 表面贴装
  • 175°C工作温度
  • 快速开关
  • 全雪崩额定

应用领域

  • 用于移动电脑(MB)、笔记本电脑(NB)、超移动个人计算机(UMPC)的高频负载点同步降压转换器
  • 网络直流-直流电源系统
  • 负载开关

数据手册PDF