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IRFI9540GPBF
1个P沟道 耐压:100V 电流:7.6A
- 描述
- 第三代功率MOSFET提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。TO-220 FULLPAK消除了商业-工业应用中额外绝缘硬件的需求。所用的模塑料在散热片和外部散热器之间提供了高隔离能力和低热阻。这种隔离相当于标准TO-220产品使用100微米云母屏障。FULLPAK使用单个夹子或单个螺丝固定安装到散热器上。
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- IRFI9540GPBF
- 商品编号
- C5772305
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 48W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 61nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 140pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
WST02N10A是一款高性能沟槽N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WST02N10A符合RoHS标准和绿色产品要求，并通过了全面的可靠性测试。
商品特性
- 隔离封装
- 高电压隔离 = 2.5 kVRMS(t = 60 s;f = 60 Hz)
- 散热片到引脚的爬电距离 = 4.8 mm
- P沟道
- 工作温度175 °C
- 动态dV/dt额定值
- 低热阻
应用领域
- 用于MB/NB/UMPC/VGA的高频负载点同步小功率开关-网络DC-DC电源系统-负载开关