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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IRFBF20STRRPBF

1个N沟道 耐压:900V 电流:1.7A

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品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
IRFBF20STRRPBF
商品编号
C5772297
商品封装
D2PAK(TO-263)​
包装方式
编带
商品毛重
1.845克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)900V
连续漏极电流(Id)1.1A
导通电阻(RDS(on))8Ω@10V
耗散功率(Pd)54W;3.1W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)38nC@10V
输入电容(Ciss)490pF
反向传输电容(Crss)18pF
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

WST3415S是高性能沟槽N沟道MOSFET,具有极高的单元密度,可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。 WST3415S符合RoHS标准和绿色产品要求,且通过了全功能可靠性认证。

商品特性

-表面贴装(IRFBF20S、SiHFBF20S)-薄型通孔(IRFBF20L、SiHFBF)-提供卷带包装(IRFBF20S、SiHFBF20S)-动态dv/dt额定值-工作温度150°C-快速开关-全雪崩额定

应用领域

  • 用于MB/NB/UMPC/VGA的高频负载点同步小功率开关-网络直流-直流电源系统-负载开关

数据手册PDF