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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W；54W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 490pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 18pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
WST02N30是硅N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（VDMOSFET），采用自对准平面技术制造，可降低导通损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。
商品特性
- 表面贴装(IRFBF20S、SiHFBF20S)
- 薄型通孔(IRFBF20L、SiHFBF20L)
- 提供卷带包装(IRFBF20S、SiHFBF20S)
- 动态dV/dt额定值
- 工作温度150°C
- 快速开关
- 全雪崩额定
应用领域
- 不间断电源（UPS）
- 功率因数校正（PFC）
- 负载开关