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IRFBF20LPBF
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W；54W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 490pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 18pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
第三代功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 D2PAK是一种表面贴装功率封装,能够容纳尺寸达HEX - 4的芯片。在现有的任何表面贴装封装中,它具备最高的功率处理能力和尽可能低的导通电阻。由于其内部连接电阻低,D2PAK适用于大电流应用,在典型的表面贴装应用中可耗散高达2.0 W的功率。对于薄型应用,还提供通孔版本(IRFBF20L、SiHFBF20L)。
商品特性
- 表面贴装(IRFBF20S、SiHFBF20S)
- 薄型通孔(IRFBF20L、SiHFBF20L)
- 提供卷带包装(IRFBF20S、SiHFBF20S)
- 动态dV/dt额定值
- 工作温度150°C
- 快速开关
- 全雪崩额定
应用领域
- 不间断电源（UPS）
- 功率因数校正（PFC）
- 负载开关