- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DMT10H032LFDF-13
1个N沟道 耐压:100V 电流:6A
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMT10H032LFDF-13
- 商品编号
- C5673630
- 商品封装
- UDFN2020-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 683pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在最小化导通电阻 RDS(ON),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 0.6mm厚度 – 适用于薄型应用
- 4平方毫米的PCB占位面积
- 低导通电阻
- 生产过程中进行100%非箝位电感开关(UIS)测试 – 确保最终应用更可靠、更耐用
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑。“绿色”器件
应用领域
- 电源管理功能
- 电池供电系统和固态继电器
- 驱动器:继电器、螺线管、灯具、锤击器、显示器、存储器、晶体管等
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