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DMTH6012LPSWQ-13
1个N沟道 耐压:60V 电流:50.5A
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- 描述
- 该MOSFET旨在满足汽车应用的严格要求。它符合AEC-Q101标准，有PPAP支持，适用于发动机管理系统、车身控制电子设备和DC-DC转换器。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMTH6012LPSWQ-13
- 商品编号
- C5673668
- 商品封装
- PowerDI5060-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.177148克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 53.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 785pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 27pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 281pF |
商品概述
这款P沟道增强型场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的高单元密度DMOS技术制造。这种超高密度工艺旨在最大程度降低低栅极驱动条件下的导通电阻。
商品特性
- VDS（V） = -30 V
- ID = -4.2 A（VGS = -10 V）
- RDS（ON） < 65 mΩ（VGS = -4.5 V）
- RDS（ON） < 120 mΩ（VGS = -2.5 V）
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