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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 225A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.6mΩ@10V,30A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.2W；187.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 115.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.32nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 157pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在最大限度降低导通电阻RDS(on)，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 0.6mm厚度——适用于薄型应用
- 4平方毫米的PCB占位面积
- 低导通电阻
- 生产过程中进行100%非钳位电感开关（UIS）测试——确保终端应用更可靠、更耐用
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
- 该器件符合JEDEC标准（参考AEC-Q），具备高可靠性
应用领域
- 电源管理功能
- 电池供电系统和固态继电器
- 驱动器：继电器、螺线管、灯具、锤击器、显示器、存储器、晶体管等
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