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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 225A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.2W；187.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 115.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.32nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 157pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。它符合AEC-Q101标准,有生产件批准程序(PPAP)支持,非常适合用于以下场景: 发动机管理系统 车身控制电子系统 DC-DC转换器
商品特性
- 额定温度达+175°C,适用于高温环境
- 生产过程中进行100%非钳位感性开关(UIS)测试,确保最终应用更可靠、更耐用
- 转换效率高
- 低导通电阻RDS(ON),可最大程度降低导通损耗
- 输入电容低
- 开关速度快
- 无铅表面处理,符合RoHS标准
- 无卤素和锑,是“绿色”器件
- DMTH61M8LPSQ适用于需要特定变更控制的汽车应用;该产品符合AEC-Q101标准,具备PPAP能力,在通过IATF 16949认证的工厂生产。
应用领域
-发动机管理系统-车身控制电子系统-DC-DC转换器
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