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DMT10H052LFDF-13
1个N沟道 耐压:100V 电流:5A
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMT10H052LFDF-13
- 商品编号
- C5673636
- 商品封装
- UDFN2020-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 52mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 800mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 258pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 0.6mm厚度——适用于薄型应用
- 4平方毫米的PCB占位面积
- 低导通电阻
- 生产过程中进行100%非钳位电感开关(UIS)测试——确保终端应用更可靠、更耐用
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑,“绿色”器件
- 该器件符合JEDEC标准(参考AEC-Q),具备高可靠性
应用领域
- 电源管理功能
- 电池供电系统和固态继电器
- 驱动器:继电器、螺线管、灯具、锤击器、显示器、存储器、晶体管等