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DMTH15H017SPS-13
1个N沟道 耐压:150V 电流:61A
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- 描述
- 新一代 N 沟道增强型 MOSFET 旨在最大限度地降低 RDS(ON)，同时保持卓越的开关性能。该器件非常适合用于笔记本电脑电池电源管理和负载开关。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMTH15H017SPS-13
- 商品编号
- C5673659
- 商品封装
- PowerDI5060-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.177148克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 61A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19mΩ@10V；22mΩ@8V | |
| 耗散功率(Pd) | 107W；1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 34nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.344nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 213pF |
商品概述
这款新一代N沟道增强型MOSFET旨在最大限度降低漏源导通电阻，同时保持卓越的开关性能。该器件非常适合用于笔记本电脑电池电源管理和负载开关。
商品特性
- 额定温度可达 +175℃—— 适用于高环境温度环境
- 生产过程中进行100%非箝位电感开关(UIS)测试 —— 确保最终应用更可靠、更耐用
- 散热效率高的封装 —— 应用运行时温度更低
- 高转换效率
- 低RDS(ON)—— 最小化导通状态损耗
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 封装高度小于1.1mm —— 适用于轻薄型应用(PowerDI)
- 无铅表面处理;符合RoHS标准
- 无卤素和锑。“绿色”器件
应用领域
- 电机控制
- DC - DC转换器
- 电源管理