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DMT3006LFVQ-13
1个N沟道 耐压:30V 电流:60A
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMT3006LFVQ-13
- 商品编号
- C5673641
- 商品封装
- PowerDI3333-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.087克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.155nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款MOSFET旨在最小化导通电阻（R_DS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 低 R\textDS(ON) — 确保将导通损耗降至最低
- 100%非钳位电感开关(生产中测试) — 确保终端应用更可靠、更耐用
- 小尺寸、热效率高的封装可实现更高密度的终端产品
- 仅占用SO - 8封装33%的电路板面积,使终端产品体积更小
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑,是“绿色”器件
- 符合AEC - Q101高可靠性标准
- 具备生产件批准程序(PPAP)能力
应用领域
-电源管理功能-模拟开关