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DMT64M8LCG-7
1个N沟道 耐压:60V 电流:16.1A 77.8A
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- 描述
- 这款新一代 N 沟道增强型 MOSFET 的设计旨在将导通电阻 RDS(ON)降至最低，同时保持卓越的开关性能。该器件非常适合用于笔记本电脑电池电源管理和负载开关。同步整流器电源管理功能、DC - DC 转换器
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMT64M8LCG-7
- 商品编号
- C5673653
- 商品封装
- V-DFN3333-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.14克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16.1A；77.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.8mΩ@10V,20A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 990mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 47.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.664nF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在将导通电阻（RDS(ON)）降至最低，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 生产过程中进行100%非箝位电感开关（UIS）测试——确保终端应用更可靠、更耐用
- 低导通电阻
- 小尺寸、热效率高的封装，可实现更高密度的终端产品
- 可焊侧翼，便于光学检测
- 完全无铅，完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
应用领域
- 背光源
- 电源管理功能
- DC - DC转换器