- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IXFA7N80P
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.44Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 200W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.89nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 13pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 133pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
商品特性
- 国际标准封装
- 具备非箝位电感开关(UIS)额定值
- 封装电感低
- 易于驱动和保护
- 易于安装
- 节省空间
- 功率密度高