IXFR24N80P
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 420mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 208W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 105nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 26pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 直接敷铜基板上的硅芯片
- 高功率耗散
- 隔离安装面
- 2500V电气隔离
- 国际标准封装
- 快恢复二极管
- 具备非箝位感性开关(UIS)额定值
- 低封装电感
- 易于驱动和保护
- 易于安装
- 节省空间
- 高功率密度