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IXTK170P10P实物图
  • IXTK170P10P商品缩略图

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IXTK170P10P

IXTK170P10P

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商品型号
IXTK170P10P
商品编号
C5658289
商品封装
TO-264​
包装方式
管装
商品毛重
12.04克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)-
导通电阻(RDS(on))14mΩ@-10V
耗散功率(Pd)890W
阈值电压(Vgs(th))-
栅极电荷量(Qg)240nC
属性参数值
输入电容(Ciss)12.6nF
反向传输电容(Crss)930pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-
类型P沟道
输出电容(Coss)4.19nF
栅极电压(Vgs)±20V

商品特性

-国际标准封装-耐用的PolarPTM工艺-高电流处理能力-快速本征二极管-雪崩额定-低封装电感-易于安装-节省空间-高功率密度

应用领域

-高端开关-推挽放大器-直流斩波器-自动测试设备-电流调节器

数据手册PDF