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IXTT20P50P实物图
  • IXTT20P50P商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IXTT20P50P

P沟道增强型功率MOSFET

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商品型号
IXTT20P50P
商品编号
C5658388
商品封装
TO-268AA​
包装方式
管装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)500V
连续漏极电流(Id)20A
属性参数值
耗散功率(Pd)460W
阈值电压(Vgs(th))2V

商品概述

这些是先进的功率MOSFET,经过设计、测试并保证能在击穿雪崩工作模式下承受特定水平的能量。它们是N沟道增强型硅栅功率场效应晶体管,适用于开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器以及需要高速和低栅极驱动功率的大功率双极型开关晶体管驱动器等应用。它们可以直接由集成电路驱动。

商品特性

  • 11A和8.7A,350V和400V
  • rDS(ON) = 0.55Ω和0.80Ω
  • 单脉冲雪崩能量额定值
  • 安全工作区受功率耗散限制
  • 纳秒级开关速度
  • 线性传输特性
  • 高输入阻抗

数据手册PDF