IXTB30N100L
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 耗散功率(Pd) | 800W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 545nC@20V | |
| 输入电容(Ciss) | 13.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 115pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 专为线性工作设计
- 雪崩额定
- 模塑环氧树脂符合UL94 V-0阻燃等级
- 易于安装
- 节省空间
- 高功率密度
应用领域
- 可编程负载
- 电流调节器
- 直流-直流转换器
- 电池充电器
- 直流斩波器
- 温度和照明控制