IXFX48N60Q3
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 48A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1kW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
商品概述
这些N沟道功率MOSFET采用MegaFET工艺制造。该工艺采用的特征尺寸接近大规模集成电路（LSI），能实现硅的最优利用，从而带来卓越性能。它们专为开关稳压器、开关转换器、电机驱动器和继电器驱动器等应用而设计。这些晶体管可直接由集成电路驱动。
商品特性
- 50A，60V
- rDS(ON) = 0.022 Ω
- 温度补偿PSPICE模型
- 峰值电流与脉冲宽度曲线
- 单脉冲雪崩能量（UIS）额定曲线
- 175°C工作温度
应用领域
- 开关稳压器-开关转换器-电机驱动器-继电器驱动器