IXFX48N60Q3
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 48A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1kW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
商品概述
这些N沟道功率MOSFET采用MegaFET工艺制造。该工艺采用的特征尺寸接近大规模集成电路（LSI），能实现硅的最优利用，从而带来卓越性能。它们专为开关稳压器、开关转换器、电机驱动器和继电器驱动器等应用而设计。这些晶体管可直接由集成电路驱动。
商品特性
- 低本征栅极电阻
- 低封装电感
- 快速本征整流器
- 低导通电阻RDS(on)和栅极电荷QG
- 高功率密度
- 易于安装
- 节省空间
应用领域
- 直流-直流转换器
- 电池充电器
- 开关模式和谐振模式电源
- 直流斩波器
- 温度和照明控制