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IXFP8N85XM实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IXFP8N85XM

IXFP8N85XM

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商品型号
IXFP8N85XM
商品编号
C5658140
商品封装
TO-220​
包装方式
管装
商品毛重
2.718克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)850V
连续漏极电流(Id)8A
导通电阻(RDS(on))850mΩ@10V
属性参数值
耗散功率(Pd)33W
阈值电压(Vgs(th))3V
输入电容(Ciss)654pF
反向传输电容(Crss)11pF
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

第三代功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 TO - 220AB封装在功率耗散水平约为50 W的所有商业 - 工业应用中普遍受到青睐。TO - 220AB的低热阻和低封装成本使其在整个行业中得到广泛认可。

商品特性

  • 国际标准封装
  • 塑料包覆式引脚
  • 高压封装
  • 低导通电阻RDS(ON)和栅极电荷QG
  • 雪崩额定
  • 2500V电气隔离
  • 低封装电感
  • 高功率密度
  • 易于安装
  • 节省空间

应用领域

  • 开关模式和谐振模式电源
  • 直流-直流转换器
  • 功率因数校正(PFC)电路
  • 交流和直流电机驱动器
  • 机器人和伺服控制

数据手册PDF