- 引脚图
- 焊盘图
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IXFH6N100
N沟道增强型高dv/dt、低导通时间功率MOSFET，采用HDMOST工艺，具有低导通电阻等特性
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- 品牌名称
- Littelfuse(美国力特)
- 商品型号
- IXFH6N100
- 商品编号
- C5658087
- 商品封装
- TO-247AD
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.562克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 耗散功率(Pd) | 180W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 130nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 45pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 国际标准封装
- 低导通电阻(RDS(on))的HDMOSTM工艺
- 坚固的多晶硅栅单元结构
- 具备非钳位电感开关(UIS)额定值
- 低封装电感
- 易于驱动和保护
- 快速本征整流器
应用领域
- DC-DC转换器
- 同步整流
- 电池充电器
- 开关模式和谐振模式电源
- 直流斩波器
- 交流电机控制
- 温度和照明控制
- 低压继电器
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