APL602B2G
1个N沟道 耐压:600V 电流:49A
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- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- APL602B2G
- 商品编号
- C5588669
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.562克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 49A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 125mΩ@12V,24.5A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 730W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 输入电容(Ciss) | 9nF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
AOW15S65和AOWF15S65采用先进的αMOS高压工艺制造，旨在为开关应用提供高性能和高可靠性。这些器件具有低RDS(on)、低Qg和低EOSS，且具备有保证的雪崩能力，可快速应用于新的和现有的离线电源设计中。