商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 17A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 780mΩ@10V,9A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 625W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 150nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.845nF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
这款MOSFET专为满足汽车应用的严苛要求而设计。它符合AEC-Q101标准，并提供生产件批准程序（PPAP）文件支持。
应用领域
- 背光照明-电源管理功能-直流-直流转换器