商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 17A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 780mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 625W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 150nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.845nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款MOSFET专为满足汽车应用的严苛要求而设计。它符合AEC-Q101标准，并提供生产件批准程序（PPAP）文件支持。
商品特性
- 快速开关,低电磁干扰
- 低反向恢复时间(trr),高可靠性
- 超低Crss,增强抗噪能力
- 低栅极电荷
- 雪崩能量额定
- 符合RoHS标准
应用领域
- 零电压开关(ZVS)移相桥和其他全桥电路
- 半桥电路
- 功率因数校正(PFC)和其他升压转换器
- 降压转换器
- 单开关和双开关正激电路
- 反激电路