APT26M100JCU2
1个N沟道 耐压:1kV 电流:26A
- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- APT26M100JCU2
- 商品编号
- C5588963
- 商品封装
- SOT-227
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 26A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 396mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 543W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 305nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.868nF@25V | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品概述
BLP8G10S-45P和BLP8G10S-45PG是双路、45 W LDMOS功率晶体管，适用于700 MHz至1000 MHz频率范围的基站应用。
商品特性
- 高效率
- 出色的耐用性
- 专为宽带操作设计（700 MHz至1000 MHz）
- 出色的热稳定性
- 高功率增益
- 集成ESD保护
应用领域
- W-CDMA
- LTE
- GSM