APT26M100JCU2
1个N沟道 耐压:1kV 电流:26A
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- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- APT26M100JCU2
- 商品编号
- C5588963
- 商品封装
- SOT-227
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 26A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 396mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 543W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 305nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.868nF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品概述
BLP8G10S-45P和BLP8G10S-45PG是双路、45 W LDMOS功率晶体管，适用于700 MHz至1000 MHz频率范围的基站应用。
商品特性
- Power MOS 8TM MOSFET:
- 低导通电阻(RDSon)
- 低输入电容和米勒电容
- 低栅极电荷
- 雪崩能量额定值
- SiC 肖特基二极管:
- 零反向恢复
- 零正向恢复
- 开关行为与温度无关
- 正向压降(VF)具有正温度系数
- ISOTOP 封装 (SOT - 227)
- 极低的杂散电感
- 高集成度
- 高频运行时性能出色
- 温度特性稳定
- 非常坚固
- 可直接安装到散热器(隔离封装)
- 结到外壳的热阻低
- 由于集电极 - 发射极饱和电压(VCEsat)的正温度系数,易于并联
- 符合 RoHS 标准
应用领域
- 交流和直流电机控制
- 开关模式电源
- 功率因数校正
- 制动开关