商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 580A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.6mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2.27kW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 840nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 43.3nF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品概述
Power MOS 7°是新一代低损耗、高压、N沟道增强型功率MOSFET。Power MOS 7°通过显著降低导通电阻RDS(ON)和栅极电荷Qg，同时解决了导通损耗和开关损耗问题。Power MOS 7°结合了更低的导通和开关损耗，以及先进功率技术公司（APT）专利的金属栅极结构固有的极快开关速度。
商品特性
- 功率MOS 7 FREDFETs
- 低导通电阻RDS(on)
- 低输入电容和米勒电容
- 低栅极电荷
- 快速本征反向二极管
- 雪崩能量额定
- 非常坚固耐用
- 开尔文源极,便于驱动
- 极低杂散电感
- 对称设计
- M5电源连接器
- 高度集成
- 氮化铝(AlN)基板,提升热性能
应用领域
-焊接转换器-开关模式电源-不间断电源-电机控制
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