商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 180A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.25kW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 560nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 28nF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品概述
适用于基站应用的160 W LDMOS功率晶体管，在1800 MHz至2000 MHz频率下具有改进的视频带宽。
商品特性
- 功率MOS 7个MOSFET
- 低导通电阻(RDSon)
- 低输入电容和米勒电容
- 低栅极电荷
- 有雪崩能量额定值
- 非常坚固耐用
- 开尔文源极,便于驱动
- 极低的杂散电感
- 对称设计
- M5功率连接器
- 高度集成
应用领域
- 交流和直流电机控制
- 开关模式电源
- 功率因数校正
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