商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 116A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 3.29kW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.1uC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 28.9nF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品概述
AOW14N50和AOWF14N50采用先进的高压MOSFET工艺制造，旨在为常见的AC-DC应用提供高性能和高可靠性。这些器件具有低 RDS(on)、Ciss 和 Crss，并具备有保证的雪崩能力，可快速应用于新的和现有的离线式电源设计中。
商品特性
- 功率 MOS 7 个 MOSFET
- 低导通电阻(RDS(on))
- 低输入电容和米勒电容
- 低栅极电荷
- 有雪崩能量额定值
- 坚固耐用
- 开尔文源极,易于驱动
- 极低的杂散电感
- 对称设计
- M5 功率连接器
- 高集成度
- 采用氮化铝(AlN)衬底,提升 MOSFET 热性能
- 高频运行时性能卓越
- 可直接安装到散热器上(隔离封装)
- 低结壳热阻
- 薄型设计
- 符合 RoHS 标准
应用领域
-焊接转换器-开关模式电源-不间断电源-电机控制
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