APT20M38SVRG
1个N沟道 耐压:200V 电流:67A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- APT20M38SVRG
- 商品编号
- C5588960
- 商品封装
- TO-268-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 67A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 38mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 370W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 225nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.12nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AOT11S65、AOB11S65和AOTF11S65采用先进的αMOS高压工艺制造，该工艺旨在为开关应用提供高性能和高可靠性。这些产品具备低导通电阻（RDS(on)）、低栅极电荷（Qg）和低输出电容储能（EOSS），并保证雪崩能力，可快速应用于新的和现有的离线电源设计中。
商品特性
- 更快的开关速度
- 更低的泄漏电流
- 100%雪崩测试
- 表面贴装D3PAK封装