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AGM085N10D
1个N沟道 耐压:100V 电流:80A
- 描述
- AGM085N10D将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGM085N10D
- 商品编号
- C5447821
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.397克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V；11mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 78W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 36.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.52nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 41pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 732pF |
商品特性
- SGT沟槽技术
- 低漏源导通电阻（RDS(on)）和品质因数（FOM）
- 极低的开关损耗
- 出色的稳定性和一致性
- 100%非钳位电感开关（UIS）测试，100%漏源电压变化（△VDS）测试
- 符合RoHS标准且无卤
应用领域
- 高频开关
- 同步整流