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AGM1099S
1个N沟道 耐压:100V 电流:7A
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- 描述
- AGM1099S将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGM1099S
- 商品编号
- C5447825
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.14克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 3.57nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 182pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 30pF |
商品概述
IRLML0100TR采用先进的沟槽技术，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻（RDS(on)）。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 100 V
- 导通电阻（RDS(ON)） < 220 mΩ（栅源电压VGS = 10 V）
- 导通电阻（RDS(ON)） < 235 mΩ（栅源电压VGS = 4.5 V）