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AGM10N15R
1个N沟道 耐压:150V 电流:8.2A
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- 描述
- AGM10N15R将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGM10N15R
- 商品编号
- C5447828
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.169克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 245mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 39W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 450pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
-先进的高单元密度沟槽技术-低RDS(ON),以最大限度降低传导损耗-低栅极电荷,实现快速开关-低热阻
应用领域
- MB/VGA内核电压
- 开关电源(SMPS)二次侧同步整流器
- 负载点(POL)应用
- 无刷直流(BLDC)电机驱动器