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IXFH26N50P
1个N沟道 耐压:500V 电流:26A
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- 描述
- 特性：国际标准封装。 快速本征二极管。 无钳位电感开关 (UIS) 额定值。 低封装电感。 易于驱动和保护。 易于安装。 节省空间。 高功率密度
- 品牌名称
- Littelfuse/IXYS
- 商品型号
- IXFH26N50P
- 商品编号
- C5447839
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.77克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 26A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 230mΩ@10V,13A | |
| 耗散功率(Pd) | 400W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.6nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
SOP-8封装通过定制引线框架进行了改进，具有更好的热特性和多芯片封装能力，使其非常适合各种电源应用。通过这些改进，在应用中使用多个器件时可显著减少电路板空间。该封装适用于气相、红外或波峰焊工艺。在典型的PCB安装应用中，功率耗散可超过0.8W。
商品特性
- VDS(V) = -20 V
- RDS(ON) < 40 mΩ (VGS = -4.5 V)
- RDS(ON) < 60 mΩ (VGS = -2.7 V)
- 第五代技术
- 超低导通电阻
- 表面贴装
- 动态dv/dt额定值
- 快速开关
- 无铅