温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
WSF2065
1个N沟道 耐压:20V 电流:60A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- WSF2060采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSF2065
- 商品编号
- C5444508
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3988克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 83W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.016nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 130pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 391pF |
商品概述
CMN3J332M采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 高密度单元设计,实现超低Rdson
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 高EAS下具有良好的稳定性和一致性
- 出色的封装,散热性能良好
应用领域
-功率开关应用-硬开关-不间断电源