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WSD60P06DN56
1个P沟道 耐压:60V 电流:60A
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- 描述
- WSD60P06DN56是高性能沟槽P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和栅极电荷。WSD60P06DN56符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过雪崩耐量（EAS）测试，具备全面的功能可靠性认证。
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSD60P06DN56
- 商品编号
- C5444512
- 商品封装
- DFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.13克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V,18A | |
| 耗散功率(Pd) | 56W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 72nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.3nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 125pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 265pF |
优惠活动
购买数量
(5000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个5000个/圆盘
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