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WSR58P06实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

WSR58P06

1个P沟道 耐压:60V 电流:45A

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描述
WSR58P06是高性能沟槽P沟道MOSFET,具有极高的单元密度,能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(Rpson)和栅极电荷。WSR58P06符合RoHS标准和绿色产品要求,100%通过耐雪崩能力(EAS)测试,并通过了全功能可靠性认证。
品牌名称
WINSOK(微硕)
商品型号
WSR58P06
商品编号
C5444515
商品封装
TO-220​
包装方式
管装
商品毛重
2.682克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)45A
导通电阻(RDS(on))30mΩ@10V;42mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)54W
阈值电压(Vgs(th))1.4V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)24nC@4.5V
输入电容(Ciss)1.35nF
反向传输电容(Crss)85pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)180pF

商品特性

  • 先进的高单元密度沟槽技术
  • 超低栅极电荷
  • 出色的CdV/dt效应抑制能力
  • 100%保证具有抗雪崩能力(EAS)
  • 提供绿色环保器件

应用领域

-台式计算机电源管理或DC/DC转换器

数据手册PDF