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WST2038
1个N沟道+1个P沟道 耐压:20V 电流:3A 2A
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- 描述
- WST2078是具有极高单元密度的高性能沟槽型N沟道和P沟道MOSFET，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WST2078符合RoHS标准和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WST2038
- 商品编号
- C5444516
- 商品封装
- SOT-23-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.045克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A；3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 90mΩ@4.5V,2A；50mΩ@4.5V,3A | |
| 耗散功率(Pd) | 830mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4.3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 220pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 45pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 65pF；65pF |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 标准的无卤产品
- 沟槽功率 MOSFET
- 100% 进行栅极电阻（Rg）测试
- 100% 进行非钳位感性开关（UIS）测试
- 符合 RoHS 标准
- 提供无卤产品
应用领域
- 负载开关
- 笔记本电脑
- 台式电脑
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