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WSD100N15DN56G实物图
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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

WSD100N15DN56G

1个N沟道 耐压:150V 电流:100A

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描述
WSD100N15DN56G是一款高性能沟槽N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSD100N15DN56符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过雪崩耐量（EAS）测试，具备完整的可靠性认证。
品牌名称
WINSOK(微硕)
商品型号
WSD100N15DN56G
商品编号
C5444517
商品封装
DFN5X6-8L​
包装方式
编带
商品毛重
0.172克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)150V
连续漏极电流(Id)100A
导通电阻(RDS(on))9mΩ@10V,20A
耗散功率(Pd)160W
阈值电压(Vgs(th))2V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)66nC@10V
输入电容(Ciss)5.45nF
反向传输电容(Crss)195pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)1.73nF

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