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WSD4078DN56
2个N沟道 耐压:40V 电流:40A
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- 描述
- WSD4078DN56是一款高性能沟槽式双N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSD4078DN56符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过雪崩能量（EAS）测试，具备完整的可靠性认证。
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSD4078DN56
- 商品编号
- C5444513
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 31W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 700pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 108pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
WSD4046DN33是高性能沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷。 WSD4046DN33符合RoHS标准和绿色产品要求，100%通过EAS测试，并经过全面的功能可靠性认证。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 100%保证抗雪崩能力(EAS)
- 提供绿色环保器件
应用领域
-高频负载点同步降压转换器-网络直流-直流电源系统-电动工具应用