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WSD40190DN56G
1个N沟道 耐压:40V 电流:190A
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- 描述
- WSD40190DN56G采用先进的SGT技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSD40190DN56G
- 商品编号
- C5444510
- 商品封装
- DFN5X6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.139克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 190A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.25mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 96W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 78nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 180pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 1.2nF |
商品概述
JMT N沟道增强型功率MOSFET
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 100%保证EAS
- 提供环保型器件
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源