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NCP51510MNTAG实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCP51510MNTAG

3Amp Vtt端接源/灌调节器,适用于DDR、DDR-2、DDR-3、DDR-4

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描述
NCP51510是一款源极/漏极双数据速率(DDR)端接稳压器,专为低输入电压和低噪声系统而设计,在这些系统中,空间是关键考量因素。NCP51510能保持快速瞬态响应,且为确保输出稳定,仅需最小10 μF的vTT负载电容。NCP51510支持远程感应以及DDR vTT总线端接的所有电源要求。NCP51510还可用于需要动态可调输出电压的低功耗芯片组和图形处理器内核。NCP51510采用散热高效的DFN10外露焊盘封装,符合环保和无铅标准。
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
NCP51510MNTAG
商品编号
C603749
商品封装
DFN-10-EP(3x3)​
包装方式
编带
商品毛重
0.036克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录DC-DC电源芯片
工作电压1.1V~3.6V
输出电压500mV~1.5V
输出电流3A
属性参数值
工作温度-40℃~+125℃@(TA)
静态电流(Iq)400uA
开关管(内置/外置)内置

商品概述

NCP51510是一款源极/漏极双数据速率(DDR)端接稳压器,专为低输入电压和低噪声系统而设计,在这些系统中,空间是关键考量因素。NCP51510能保持快速瞬态响应,且为确保输出稳定,仅需最小10 μF的vTT负载电容。NCP51510支持远程感应以及DDR vTT总线端接的所有电源要求。NCP51510还可用于需要动态可调输出电压的低功耗芯片组和图形处理器内核。NCP51510采用散热高效的DFN10外露焊盘封装,符合环保和无铅标准。

商品特性

  • 生成DDR内存端接电压(VTT)
  • 适用于DDR、DDR - 2、DDR - 3和DDR - 4的源极/漏极电流
  • 支持高达±3 A(典型值)的负载,输出具备过流保护
  • 集成带热关断保护的MOSFET
  • 快速负载瞬态响应
  • PGOOD输出引脚,用于监控vTT输出稳压状态
  • SS输入引脚,用于暂停关机模式
  • VRI输入参考,实现灵活的电压跟踪
  • VTTS输入,用于远程感应(开尔文连接)
  • 内置软启动、欠压锁定功能
  • 小型、薄型10引脚、3 x 3 mm DFN封装
  • NCV51510MWTAG - 可焊侧翼选项,便于增强光学检测
  • 采用NCV前缀,适用于汽车及其他有独特场地和控制变更要求的应用;符合AEC - Q100标准且具备生产件批准程序(PPAP)能力
  • 这是一款无铅器件

应用领域

  • DDR内存端接
  • 台式电脑、笔记本电脑和工作站
  • 服务器和网络设备
  • 电信/数据通信、GSM基站
  • 图形处理器内核电源
  • 机顶盒、液晶电视/等离子电视、复印机/打印机
  • 为低至0.5 V的芯片组/RAM供电
  • 有源源极/漏极总线端接

数据手册PDF