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NCV885301D1R2G实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCV885301D1R2G

可调输出非同步降压控制器

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描述
NCV8853是一款可调输出非同步降压控制器,用于驱动外部P通道MOSFET。它采用峰值电流模式控制,具有内部斜坡补偿。该控制器集成了内部调节器,为栅极驱动器提供电荷。保护功能包括内部软启动、欠压锁定、逐周期电流限制、hiccup模式过流保护和短路保护。其他功能包括:电源良好信号、低静态电流睡眠模式和外部同步切换频率。
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
NCV885301D1R2G
商品编号
C604102
商品封装
SOIC-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.215克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录DC-DC电源芯片
功能类型降压型
工作电压3.1V~44V
输出电压-
开关频率306kHz~374kHz
工作温度-40℃~+150℃
属性参数值
同步整流
输出通道数1
拓扑结构降压式
静态电流(Iq)-
开关管(内置/外置)外置
输出类型可调

商品概述

NCV8853是一款可调输出的非同步降压控制器,可驱动外部P沟道MOSFET。该器件采用具有内部斜率补偿的峰值电流模式控制。IC集成了一个内部稳压器,为栅极驱动器提供电荷。 保护功能包括内部软启动、欠压锁定、逐周期电流限制、打嗝模式过流保护、打嗝模式短路保护。 其他特性包括:电源正常信号、低静态电流睡眠模式和外部可同步开关频率。

商品特性

  • 超低静态电流(Iq)睡眠模式
  • 可调节输出,参考电压为800 mV ±2.0%
  • 宽输入电压范围3.1至44 V,具备欠压锁定(UVLO)功能
  • 电源正常(PG)信号
  • 内部软启动(SS)
  • 固定频率峰值电流模式控制
  • 内部斜率补偿人工斜坡
  • 内部高端PMOS栅极驱动器
  • 稳压栅极驱动器电流源
  • 外部频率同步(SYNC)
  • 可编程逐周期电流限制(CL)
  • 打嗝模式过流保护(OCP)
  • 输出短路打嗝保护(SCP)
  • 节省空间的8引脚SOIC封装
  • 适用于汽车及其他有特殊产地和控制变更要求的应用的NCV前缀;符合AEC - Q100标准且具备生产件批准程序(PPAP)能力
  • 这些器件为无铅产品,符合RoHS标准

数据手册PDF

优惠活动

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(2500个/圆盘,最小起订量 1 个)
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