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NCV887001D1R2G实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCV887001D1R2G

非同步升压控制器

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描述
NCV8870是一款非同步升压控制器,驱动外部N通道MOSFET。采用峰值电流模式控制,具有内部斜率补偿。该器件包括内部调节器,为栅极驱动器供电。保护功能包括软启动、欠压锁定、逐周期限流、hiccup模式短路保护和热关断。此外,还具有低静态电流睡眠模式和外部同步开关频率的功能。
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
NCV887001D1R2G
商品编号
C604103
商品封装
SOIC-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.212克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录DC-DC电源芯片
功能类型升压型
工作电压3.2V~40V
输出电流-
开关频率100kHz
工作温度-40℃~+150℃@(TJ)
属性参数值
同步整流
输出通道数1
拓扑结构升压式
静态电流(Iq)2uA
开关管(内置/外置)外置
输出类型可调

商品概述

NCV8870是一款可调输出的非同步升压控制器,可驱动外部N沟道MOSFET。该器件采用带有内部斜率补偿的峰值电流模式控制。IC集成了一个内部稳压器,为栅极驱动器提供电荷。

商品特性

  • 带有内部斜率补偿的峰值电流模式控制
  • 1.2 V ±2%参考电压
  • 固定频率工作
  • 3.2 V至40 Vdc宽输入电压范围,45 V负载突降
  • 输入欠压锁定(UVLO)
  • 内部软启动
  • 睡眠模式下低静态电流
  • 逐周期电流限制保护
  • 打嗝模式过流保护(OCP)
  • 打嗝模式短路保护(SCP)
  • 热关断(TSD)
  • 适用于汽车及其他需要独特场地和控制变更要求的应用的NCV前缀;符合AEC - Q100标准且具备生产件批准程序(PPAP)能力
  • 这是一款无铅器件

数据手册PDF

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购买数量

(2500个/圆盘,最小起订量 1 个)
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