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SVG086R0NT
120A、80V N沟道MOSFET
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- 描述
- SVG086R0NT(S)(D)(L5) 是一款采用LVMOS 技术制造的 N 沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管。经过改进的工艺和单元结构专门设计用于最小化导通电阻，并提供卓越的开关性能。该器件广泛应用于不间断电源（UPS）、逆变器系统电源管理等领域
- 品牌名称
- SILAN(士兰微)
- 商品型号
- SVG086R0NT
- 商品编号
- C601644
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.7克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 156W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 66nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.896nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 520pF |
商品概述
SVG086R0NT(S)(D)(L5)是一款采用矽力杰LVMOS技术制造的N沟道增强型功率MOS场效应晶体管。经过改进的工艺和单元结构经过特别设计，可将导通电阻降至最低，并提供卓越的开关性能。 该器件广泛应用于UPS、逆变器系统电源管理。
商品特性
- 120A，80V，RDS(导通)(典型值) = 5.0 mΩ @ VGS = 10 V
- 低栅极电荷
- 低Crss
- 快速开关
- 改善的dv/dt能力
应用领域
- UPS-逆变器系统电源管理
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