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TPW65R044MFD
1个N沟道 耐压:650V 电流:72A
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- 描述
- 超结功率MOSFET是用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据SJ原理设计。SJ MOSFET是一款性价比优化的产品，适用于消费和照明市场对成本敏感的应用。
- 品牌名称
- 无锡紫光微
- 商品型号
- TPW65R044MFD
- 商品编号
- C596286
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.933克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 72A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 39mΩ@10V,36A | |
| 耗散功率(Pd) | 500W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 165nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.837nF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 13.2pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |