温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
TPA90R350A
1个N沟道 耐压:900V 电流:15A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- 无锡紫光微
- 商品型号
- TPA90R350A
- 商品编号
- C596289
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.82克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 310mΩ@10V,7.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 240W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 62nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.84nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 16pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用先进的PowerTrench®工艺制造，该工艺融入了屏蔽栅技术。此工艺针对导通电阻进行了优化，同时保持了卓越的开关性能。
商品特性
- 屏蔽栅MOSFET技术
- 栅源电压（VGS） = -10 V、漏极电流（ID） = -2.2 A时，最大漏源导通电阻（rDS(on)） = 255 mΩ
- 栅源电压（VGS） = -6 V、漏极电流（ID） = -2 A时，最大漏源导通电阻（rDS(on)） = 290 mΩ
- 极低的漏源导通电阻（rDS(on)），中压P沟道硅技术针对低栅极电荷（Qg）进行了优化
- 本产品针对快速开关应用和负载开关应用进行了优化
- 经过100% UI1L测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-有源钳位开关-负载开关