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TPW60R080M
1个N沟道 耐压:600V 电流:47A
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- 品牌名称
- 无锡紫光微
- 商品型号
- TPW60R080M
- 商品编号
- C596293
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.866克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 47A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 73mΩ@10V,24A | |
| 耗散功率(Pd) | 391W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 75nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.488nF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 3pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
GT060N10T采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷。它可用于多种应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS）：100V
- 漏极电流（ID）（栅源电压（VGS） = 10V时）：116A
- 漏源导通电阻（RDS(ON)）（VGS = 10V时）：< 6mΩ
- 经过100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电源开关
- DC/DC转换器